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IXFV12N120P |
TO-220-3（SMT）标片 | IXYS | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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IXFV12N120P参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.35 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：103nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5400pF @ 25V 功率 - 最大值：543W 安装类型：通孔 |
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热门型号： Card EdgeECC15DRYH-S13 接口 - 模拟开关DG418LEUA 圆形MS17344C24C11S 安全JR25WCC-14 接线座 - 隔板块SESX-22 圆形MS3454L32-6P 热敏 - 散热器C247-050-2VE DC DC ConVE-J43-EW-B1 微調器3292X-1-253LF 矩形 - 外壳XHP-7 |
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